通过优化倍增层的厚度,研究了InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管增益带宽积和暗电流之间的关系.利用仿真计算得出200 nm厚的倍增层能够......

In order to obtain an optimized method for low etch damage,the different etch gas for extended wavelength In0.83Ga0.17As......

Back-illuminated near-infrared detectors were designed and fabricated using p-InGaAs/p-InP/i-InGaAs/n-InP p-i-n layer st......

对As2和As4两种不同分子态下利用分子束外延技术(MBE)生长的单层AlGaAs薄膜和GaAs基InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器（QWIP）的性能进行......

:本文基于漂移扩散模型,对硅基错PIN 红外探测器的电流特性随应变、Ge 吸收层厚度、吸收层掺杂浓度的变化进行了数值模拟,并给出了......

在传统pn结红外探测器中,宽带隙阻挡层的引入可以有效降低器件暗电流。采用COMSOL软件对探测器的能带图进行仿真,结果表明,InAsSbP......

针对红外探测器在空间应用中受到高能粒子辐照后暗电流退化的问题，开展γ射线对中波碲镉汞(HgCdTe)光伏器件暗电流影响的研究。在室......

针对碲镉汞红外焦平面需要在恒定低温条件下工作的要求，设计并实现了基于热电制冷技术的红外焦平面 温控系统。该温控系统具有体积......

近年来，可见盲与太阳盲光电探测器在火灾监控、太空通信和导弹尾焰探测等方面的应用引起了越来越多的关注。由于氮化镓(GaN)是直接......

实验制备了级联倍增InAlAs/InAlGaAs雪崩光电二极管, 对二极管暗电流随台面直径和温度的变化进行了研究分析。结合暗电流函数模型,......

Graphene-based photodetectors have drawn a large amount of interests owing to its wide spectral response,however,the hig......